产品介绍：

用于6吋&8 吋的 SiC 晶体生长，装载 SiC粉料和支撑反应腔室

适用机型：

第三代半导体 SiC 长晶炉

产品参数：

基材：等静压石墨(纯度>6N)

特点：纯度高，高导热，传热均匀性好